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Os MOSFETs de SiC são usados em sistemas de potência de média a alta tensão e permitem frequências de comutação mais altas com eficiência aprimorada, enquanto reduzem o tamanho do sistema e a necessidade de redundância.

Nossos MOSFETs de SiC oferecem robustez e desempenho inigualáveis, com uma ampla gama de soluções, menor custo do sistema, tempo de mercado mais rápido e menor risco. Nossas soluções contam com uma vida útil do óxido superior a 100 anos e um diodo corpo estável, combinados com robustez de avalanche de classe mundial, capacidade de curto - circuito e suscetibilidade a nêutrons para aprimorar a confiabilidade do sistema e o tempo de funcionamento.

Características

Operação a alta temperatura (Tj = 175°C) com baixa variação de RDS(on) em toda a faixa de temperatura

Estabilidade do óxido de porta líder da indústria (< 100 mV de variação de Vth) e vida útil do óxido de porta

Robustez de avalanche (UIS) (> 100k pulsos)

Longo tempo de resistência a curto - circuito

Vantagens

Frequência e eficiência de comutação mais altas

Maior densidade de potência

Robustez aprimorada

Sistemas menores e mais leves sem a necessidade de redundância de dispositivos de SiC

Melhorias nas exigências de resfriamento que reduzem o custo do sistema

Nossa Vantagem

Várias fontes de epi e duas fábricas de SiC garantem o fornecimento a longo prazo

Classificação de avalanche UIS inigualável

Maior tempo de resistência do óxido de porta

Prática de obsoescência orientada pelo cliente